일진디스플레이는 친환경, 고출력, 고효율 구현이 가능한 LED 소재인 사파이어(Sapphire Ingot, Sapphire Wafer)를 생산하고 있습니다.
LED는 P형, N형 반도체를 접합시켜 전기를 한쪽 방향으로 흐르게 만드는 반도체 소자로 전기에너지가 반도체 결정 안에서 빛에너지로 전환되는 원리로 구현됩니다.
사파이어 잉곳
Advanced Kyropoulos법을 이용하여 Al2O3를 2,050℃ 이상의 고온에서 가열하여 용액상태로 만든 다음 Seed를 Melt 표면에 접촉시켜 Defect가 없는 고품질의 단결정을 형성시키고, 60kg이상 대구경 사파이어 Boule을 성장하고 있습니다.
| Chemical formula | Al2O3 | Melting point | 2,050℃ |
|---|---|---|---|
| Crystal System | Hexagonal | CTE | A축 : 6.67x10 -6/℃ @ 50℃ C축 : 9.03x10 -6/℃ @ 20 ~ 1000℃ |
| Lattice Parameter | a=4.758Å, c=12.99Å | ||
| Density | 3.985g/cm3 | Refractive Index | 1.7 |
| Hardness, Mohs | 9 | Dielectric Const | 9.30 |
가로 320 px(도표가 보이는 해상도 규격) 이상의
해상도에서 보시면 관련 도표를 보실 수 있습니다.
사파이어 웨이퍼
사파이어를 LED Chip 소재로 사용하기 위해서는 사파이어와 유사한 결정 격자 구조, 방위를 갖는 반도체 결정을 성장(GaN Epi 성장) 시켜야 합니다.
GaN-Epi 성장은 사파이어 기판의 품질에 의해 결정되는데 일진디스플레이는 LED 용에 사용되는 세계최고 수준의 초고평탄도 사파이어 기판을 주력 양산하고 있습니다. 또한 전극을 수직 구조로 배치하여 고전류 영역에서 광효율, 고출력, 작동전압하강, 열특성 등의 장점을 극대화 할 수 있는 Vertical Type LED Chip 용 Double Side Polished 웨이퍼의 대구경 양산화 기술력을 갖추고 있습니다.
| 2inch | 4inch | 6inch | 8inch | |
|---|---|---|---|---|
| 기판종류 | Single / Double Side Polished Wafer | |||
| Diameter | 50.80 ± 0.05mm | 100.00 ± 0.05mm | 150.00 ± 0.05mm | 200.00 ± 0.05mm |
| Orientation | 0.20 ± 0.03˚ | 0.20 ± 0.03˚ | 0.20/0.35 ± 0.03˚ | 0.20 ± 0.03˚ |
| Thickness | 430 ± 5um | 650/750 ± 10um | 1,000/1,300 ± 10um | 1,500 ± 20um |
| TTV | ≤ 3um | ≤ 3um | ≤ 5um | ≤ 10um |
| BOW | -7 ~ -2um | -6 ~ 0um | -6 ~ 0um | -10 ~ 0um |
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